Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SPD02N60
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Land:
Deutschland / Germany
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| Identisch mit |
SPD02N60
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
FQU2N60
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power SIP MOS-FET, Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: TO-220 (SPP02N60C3) | TO-252 (SPD02N60C3) | TO-251 (SPU02N60C3) | TO-263 (SPB02N60C3) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 600 V; Vgss: +/- 20 V; Vgs(th): 2.1 ... 4 V; Id: 1.8 A (pulse: 5.4 A); Idss: <1 µA; Igss: <100 nA; Rds(on): <3 Ω; Pd: 25 W; td(on): <15 ns; tmax j: 150 °C.
Marking: 02N60C3
Varianten: Cool MOS-FETs: SPP02N60S5 (TO-220), SPD02N60S5 (TO-252), SPU02N60S5 (TO-251), SPB02N60S5 (TO-263), SPN02N60S5 (SOT-233, 0.4 A);
Ähnlich/similar: RPS-U02N60C;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 10 x 3 mm / 0.39 x 0.39 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Infineon
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SPD02N60: Siemens
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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