Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SPP02N80C3
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Land:
Deutschland / Germany
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| Identisch mit |
SPP02N80C3
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 800 V; Id: 2 A; Vgs: > +/- 20 V; Igss: <100 nA; Vgs(th): 2.1 ... 3.9 V; Idss: <5 µA; Pd: 42 W; Rds(on): 2.7 Ω; tmax j: 150 °C.
Varianten: SPA02N80C3 (TO-220-Iso, 30.5 W), SPD02N80C3 (TO-252, 42 W);
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Infineon
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SPP02N80C3: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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