Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SPP08N80
|
Land:
Deutschland / Germany
|
|
| Identisch mit |
SPP08N80
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET (Cool MOS°), Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-220 | Iso-220 (SPA08N80C3) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs: +/- 20 V; Idss: 0.5 µA; Igss: <100 nA; Vgs(th): 3 V; Pd: 104 W; Id: 8 A; Vdss: 800 V; Rds(on): 0.65 Ohm; tmax j: 150 °C.
Variante: SPA08N80C3: 40 W -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Infineon
|
|
SPP08N80: TTT 1981 Steidle
Günther Stabe † 19.8.20
Mehr...
|
|
SPP08N80: (datasheet)
Günther Stabe † 19.8.20
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
