Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SPP20N60S5
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Land:
Europa
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| Identisch mit |
SPP20N60S5
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: V ds: 650 V; V gs: +/- 20 V; Id: <20 A; Ptot: 208 W; R ds(on): 0.19 Ω; tmax op: -55...+150 °C.
Variante: SPB20N60S5 = TO-263 (SMD);
Manufactured by Infineon -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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SPP20N60S5
Günther Stabe † 19.8.20
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SPP20N60S5: Peter Pfeiffer
Peter Pfeiffer
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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