Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STD17N06
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STD17N06
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-252 | IPAK Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs: +/- 20 V; Idss: <10 µA; Igss: <100 nA; Vgs(th): 2.9 V; Pd: 55 W; Id: 17 A; Vdss: 60 V; Rds(on): <0.085 Ω; tmax j: 175 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 8 x 2 mm / 0.28 x 0.31 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ST (SGS-Thomson) Microelectronics
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STD17N06: STM
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:1
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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