Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STF11NM60N
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STF11NM60N
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal MDmesh° Power MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-220 (STP11NM60N) | Iso-220 (STF11NM60N*) | D²PAK (STD11NM60N) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs: +/- 25 V; Idss: <1 µA; Igss: 100 nA; Vgs(th): 2...4 V; Pd: 100 (25*) W; Idr: 10 A; Vdss: 600 V; Rds(on): <0.45 Ω; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ST (SGS-Thomson) Microelectronics
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STF11NM60N: ST
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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