Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STP3N100
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Land:
Europa
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| Identisch mit |
STP3N100
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET;
Form/Case/Outline: TO-220, ISOWATT220 ;
Daten/electr.data: VDSS: 1000V; ID: 3.5A (2.0A STP3N100FI); RDS(on): < 5.0Ω; TJ: -65...150°C.
Manufacturer: SGS Thomson
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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| Literatur |
- - Manufacturers Literature SGS Thomson
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STP3N100: Thomson
Egon Strampe
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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