Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
TIC116
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Land:
USA
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| Identisch mit |
TIC116
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| Ähnliche |
Grenzwerte anders:
TIC126
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Thyristor PNPN, reverse blocking;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge K-A-G;
Daten/electr.data: I gm: 3 A; P gm: 5 W; P g(av): 1 W; I T rsm: 5 A; I tm: 100 A; Igt: 20 mA; Vdrm: 50...800* V; t op: -40...+110 °C.
Varianten: TIC116F = 50 V*, TIC116A = 100 V*, TIC116B = 200 V*, TIC116C = 300 V*, TIC116D = 400 V; TIC116E = 500 V*, TIC116M = 600 V*, TIC116S = 700 V*, TIC116N = 800 V* (Vdrm) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature TI
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TIC116: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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TIC116: Texas Instruments Power Semiconductor
Günter Kudicke
Mehr...
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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