Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
TIC216
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Land:
USA
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| Identisch mit |
TIC216
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium TRIAC;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge MT1/A1-MT2/A2-G;
Daten/electr.data: Igm: +/- 1 A; Pgm: 2.2 W; Pg(av): 0.9 W; Igtm: <10 mA; Itrsm: 6 A; Itsm: 60 A; Vdrm: 400...800 V*; tmax j: 120 °C.
Varianten: TIC216-D = 400 V; TIC216-M = 600 V, TIC216-S = 700 V, TIC216-N = 800 V *) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Power Innovations datasheet
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TIC216: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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