Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
VF30100S
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Land:
Deutschland / Germany
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| Identisch mit |
VF30100S
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Trench MOS Schottky Barrier Diode;
Form/Case/Outline: TO-220 (V30100S) | TO-220-Iso (VF30100S) Anschlussfolge A-K-A;
Daten/electr.data: I F(av): 30 A; Vf: <0.69 V; I r: <45 mA; Pd: __ W; Ifsm: 250 A; Vrrm: 100 V; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Vishay
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VF30100S: Vishay
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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