Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Sperrschicht FET; Form/Case/Outline: TO-18 Anschlussfolge SDG; Daten/electr.data: Idss: >50 mA; Vgs: 3.5 ... 10 V; Igss: <25 nA; N: 350 mW; Imax: 50 mA; Umax: 40 V; Rds(on): <25 Ω; T(off): <10 ns; tmax j: 175 °C. -