Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
BSV80
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Land:
Niederlande
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| Identisch mit |
BSV80
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
BSV78
; BSV79
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Sperrschicht FET;
Form/Case/Outline: TO-18 Anschlussfolge SDG;
Daten/electr.data: Idss: >10 mA; Vgs: 0.75 ... 4 V; Igss: <25 nA; N: 350 mW; Imax: 50 mA; Umax: 40 V; Rds(on): <60 Ω; T(off): 32 ns; tmax j: 175 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 6 x 6 mm / 0.24 x 0.24 x 0.24 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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BSV80: Philips
Günther Stabe † 19.8.20
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BSV80: TVT 73
Günther Stabe † 19.8.20
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BSV80: Siemens Datenbuch
Wilfried Hofmüller
Mehr...
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:1
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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