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PJD09N03

Information - Hilfe 
ID = 88258
       
Land:
Deutschland / Germany
Marke: Siemens (& Halske, -Schuckert Werke SSW, Electrogeräte); Berlin, München
Typ:  Transistor   Stromversorgung 
Identisch mit PJD09N03
Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal OptiMOS°2 Power MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-252;
Daten/electr.data: Vdss: 25 V; Vgs: +/- 20 V; Vgs(th): 1.2 ... 2.0 V; Id: 30 A; Idss: 0.1 µA; Igss: < 0.1 mA; Pd: 83 W; Rds(on): < 9mΩ; Tj: 175 °C.
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 7 x 8 x 3 mm / 0.28 x 0.31 x 0.12 inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   Infineon
pjd09n03.png
PJD09N03: Datasheet
Egon Strampe

Sammlung von

Egon Strampe (D)
 
pjd09n03.jpg

 
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